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年中国碳化硅微粉行业市场发展机遇及投资方向研究报告-。该方法的工艺条件为煅烧温度为900℃，煅烧时间为3h，碳化硅内部的碳杂质得到了完全去除。以空气为氧化介质进行碳化硅微粉与碳杂质的分离。实验结果表明：当氧化温度。

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