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含碳的氮化铝烧结体以及用于半导体制造/检测设备的陶瓷基材的制作方。名称：含碳的氮化铝烧结体以及用于半导体制造/检测设备的陶瓷基材的制作方法技术领域：本发明涉及一种氮化铝烧结体，这种烧结体可用作构成热板、静电夹具（electric。

AlN陶瓷的SPS烧结致密化及其机理的研究.pdf全文文档投稿网武汉理工大学硕士学位论文AlN陶瓷的SPS烧结致密化及其机理研究姓名：李淘申请学位级别：硕士专业：材料学指导教师：沈强武汉理_[大学硕士论文摘要氮化铝。

氮化铝烧结粉体AlN-010-A1S/福钠米应材/黄页询价平台点阅：型号/编号：AlN-010-A1氮化铝烧结级AlN-010-A1S产品AlN-010-A1S氮化铝粉体经过成型烧结程序制成：用於射频IC、高功率IC、LED晶片载板，高导热电子基板，。

高热导率氮化铝烧结体的制作方法特别是，由于氮化铝（AlN）烧结体是具有优异热导率并且热膨胀系数接近硅（Si）的热膨胀系数的绝缘体，因此它还广泛地用作散热板或高度集成的半导体设备的衬底。上面的常。

含碳的氮化铝烧结体以及用于半导体制造/检测设备的陶瓷基材含碳的氮化铝烧结体以及用于半导体制造/检测设备的陶瓷基材一种含碳的氮化铝烧结体，包括氮化铝基体和包含在其中的峰在激光拉曼光谱分析的1580cm#+[-1]和1355cm#+[-1]的。

氮化铝烧结体的制备方法名称：氮化铝烧结体的制备方法技术领域：本发明涉及一种氮化铝烧结体，尤其涉及可低温烧结且具有高强度、高热导率的烧结体，本发明还涉及这种烧结体的制备方法。。

氮化铝陶瓷的烧结简介及调控.docx_淘豆网不添加烧结助剂的AlN陶瓷气孔率高、致密度差，导致其热导率很低，满足不了实际需要。常压烧结AlN陶瓷的研究表明：加入烧结助剂后，试样的致密性改善，热导率显著提高内容。

电子封装用AlN烧结工艺及机理.pdf_淘豆网提高坯体成型压力可以促进纳米级氮化铝烧结致密化，但此影响伴随烧结温度的提高而逐渐微弱。亚微米级氮化铝原料在低温烧结过程中，表面扩散到体积扩散转变是在之间完成的。

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